IXTV03N400S datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTV03N400S  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 4000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 2.8 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 290 Ohm

Тип корпуса: PLUS220SMD

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTV03N400S

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTV03N400S даташит

 ..1. Size:186K  ixys
 ixth03n400 ixtv03n400s.pdf pdf_icon

IXTV03N400S

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4000V IXTH03N400 ID25 = 300mA Power MOSFET IXTV03N400S RDS(on) 290 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-247 (IXTH) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 4000 V D D (Tab) S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4000 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transie

 9.1. Size:194K  ixys
 ixth02n250 ixtv02n250s.pdf pdf_icon

IXTV03N400S

High Voltage IXTH02N250 VDSS = 2500V Power MOSFETs ID25 = 200mA IXTV02N250S RDS(on) 450 N-Channel Enhancement Mode Fast Intrinsic Diode TO-247 (IXTH) G D D (Tab) S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 2500 V PLUS220SMD (IXTV_S) VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 2500 V VGSS Continuous 20 V VGSM Transient

Другие IGBT... IXTU05N100, IXTU12N06T, IXTU1N80P, IXTU1R4N60P, IXTU2N80P, IXTU4N60P, IXTU5N50P, IXTV02N250S, IRF2807, IXTV102N20T, IXTV110N25TS, IXTV18N60P, IXTV18N60PS, IXTV200N10T, IXTV200N10TS, IXTV22N50P, IXTV22N50PS