IXTV30N60PS Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTV30N60PS  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 500 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.24 Ohm

Encapsulados: PLUS220SMD

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IXTV30N60PS datasheet

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IXTV30N60PS

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IXTV30N60PS

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IXTV30N60PS

VDSS = 500 V IXTH 30N50P PolarHVTM ID25 = 30 A IXTQ 30N50P Power MOSFET RDS(on) 200 m IXTT 30N50P N-Channel Enhancement Mode IXTV 30N50P Avalanche Rated IXTV 30N50PS TO-247 AD (IXTH) (TAB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuo

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 ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p.pdf pdf_icon

IXTV30N60PS

IXTH 36N50P VDSS = 500 V PolarHVTM IXTQ 36N50P ID25 = 36 A Power MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50P N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated IXTV 36N50PS TO-3P (IXTQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V (TAB) D S VGS Continuous 30 V VGS

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