IXTV30N60PS datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTV30N60PS  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 500 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.24 Ohm

Тип корпуса: PLUS220SMD

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTV30N60PS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTV30N60PS даташит

 ..1. Size:392K  ixys
 ixth30n60p ixtq30n60p ixtt30n60p ixtv30n60p ixtv30n60ps.pdf pdf_icon

IXTV30N60PS

 4.1. Size:352K  ixys
 ixth30n60p ixtq30n60p ixtt30n60p ixtv30n60p.pdf pdf_icon

IXTV30N60PS

 7.1. Size:336K  ixys
 ixth30n50p ixtq30n50p ixtt30n50p ixtv30n50p.pdf pdf_icon

IXTV30N60PS

VDSS = 500 V IXTH 30N50P PolarHVTM ID25 = 30 A IXTQ 30N50P Power MOSFET RDS(on) 200 m IXTT 30N50P N-Channel Enhancement Mode IXTV 30N50P Avalanche Rated IXTV 30N50PS TO-247 AD (IXTH) (TAB) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-3P (IXTQ) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS Continuo

 9.1. Size:361K  ixys
 ixth36n50p ixtq36n50p ixtt36n50p ixtv36n50p.pdf pdf_icon

IXTV30N60PS

IXTH 36N50P VDSS = 500 V PolarHVTM IXTQ 36N50P ID25 = 36 A Power MOSFET IXTT 36N50P RDS(on) 170 m IXTV 36N50P N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated IXTV 36N50PS TO-3P (IXTQ) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V (TAB) D S VGS Continuous 30 V VGS

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTV26N60PS, IXTV270N055T2, IXTV270N055T2S, IXTV280N055T, IXTV280N055TS, IXTV30N50P, IXTV30N50PS, IXTV30N60P, IRFP064N, IXTV36N50P, IXTV36N50PS, IXTV86N25T, IXTV96N25T, IXTX110N20L2, IXTX170P10P, IXTX17N120L, IXTX200N10L2