IXTV86N25T Todos los transistores

 

IXTV86N25T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTV86N25T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 540 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 86 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 156 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.037 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS220
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTV86N25T Datasheet (PDF)

No PDF!

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: BL7N65B-P | HMS4290 | DMN4010LFG | APT40M70LVFRG | TX216521M6R | 2SK3625 | SI68H11

 

 
Back to Top

 


 
.