IXTV86N25T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IXTV86N25T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 540 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 86 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 156 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.037 Ohm

Тип корпуса: PLUS220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IXTV86N25T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTV86N25T даташит

No data!

Другие IGBT... IXTV280N055T, IXTV280N055TS, IXTV30N50P, IXTV30N50PS, IXTV30N60P, IXTV30N60PS, IXTV36N50P, IXTV36N50PS, IRFZ44N, IXTV96N25T, IXTX110N20L2, IXTX170P10P, IXTX17N120L, IXTX200N10L2, IXTX20N140, IXTX22N100L, IXTX24N100