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IXTX110N20L2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTX110N20L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 960 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 420 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

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IXTX110N20L2 datasheet

 ..1. Size:158K  ixys
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IXTX110N20L2

Advance Technical Information LinearL2TM Power VDSS = 200V IXTK110N20L2 MOSFET w/Extended ID25 = 110A IXTX110N20L2 FBSOA RDS(on)

 9.1. Size:178K  ixys
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IXTX110N20L2

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = - 200V IXTK120P20T Power MOSFETs ID25 = - 120A IXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C - 200 V D S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS

 9.2. Size:177K  ixys
 ixtk170p10p ixtx170p10p.pdf pdf_icon

IXTX110N20L2

PolarPTM VDSS = -100V IXTK170P10P ID25 = -170A Power MOSFET IXTX170P10P RDS(on) 12m P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M -100 V G D (TAB) S VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C -1

 9.3. Size:88K  ixys
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IXTX110N20L2

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History: FQP3N60 | 2SK1723 | SPC65R180G | AO3409L

 

 
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