IXTX110N20L2 Todos los transistores

 

IXTX110N20L2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTX110N20L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 960 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 110 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 420 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTX110N20L2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:158K  ixys
 ixtk110n20l2 ixtx110n20l2.pdf pdf_icon

IXTX110N20L2

Advance Technical InformationLinearL2TM Power VDSS = 200VIXTK110N20L2MOSFET w/ExtendedID25 = 110AIXTX110N20L2FBSOARDS(on)

 9.1. Size:178K  ixys
 ixtk120p20t ixtx120p20t.pdf pdf_icon

IXTX110N20L2

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTK120P20TPower MOSFETs ID25 = - 120AIXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 200 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

 9.2. Size:177K  ixys
 ixtk170p10p ixtx170p10p.pdf pdf_icon

IXTX110N20L2

PolarPTM VDSS = -100V IXTK170P10PID25 = -170APower MOSFET IXTX170P10P RDS(on) 12m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 V GD (TAB)SVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C -1

 9.3. Size:88K  ixys
 ixtk17n120l ixtx17n120l.pdf pdf_icon

IXTX110N20L2

Advance Technical InformationIXTK17N120L VDSS = 1200 VLinear Power MOSFETIXTX17N120L ID25 = 17 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.99 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

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History: HM6N10 | BFC23 | AO4914 | BF1109 | IRFR9220 | SIS444DN | SIR496DP

 

 
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