IXTX170P10P Todos los transistores

 

IXTX170P10P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTX170P10P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 890 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 170 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 176 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTX170P10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  ixys
 ixtk170p10p ixtx170p10p.pdf pdf_icon

IXTX170P10P

PolarPTM VDSS = -100V IXTK170P10PID25 = -170APower MOSFET IXTX170P10P RDS(on) 12m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 V GD (TAB)SVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C -1

 8.1. Size:88K  ixys
 ixtk17n120l ixtx17n120l.pdf pdf_icon

IXTX170P10P

Advance Technical InformationIXTK17N120L VDSS = 1200 VLinear Power MOSFETIXTX17N120L ID25 = 17 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.99 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

 9.1. Size:178K  ixys
 ixtk120p20t ixtx120p20t.pdf pdf_icon

IXTX170P10P

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTK120P20TPower MOSFETs ID25 = - 120AIXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 200 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

 9.2. Size:159K  ixys
 ixtk120n65x2 ixtx120n65x2.pdf pdf_icon

IXTX170P10P

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXTX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS Continuous 30 VPLUS247 (IX

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History: ME7648 | IXFN40N90P | SJMN250R80ZF | MXP4004BT | RZR040P01 | ME8029 | IRF7606

 

 
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