Справочник MOSFET. IXTX170P10P

 

IXTX170P10P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTX170P10P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 890 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 170 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 176 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXTX170P10P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTX170P10P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:177K  ixys
 ixtk170p10p ixtx170p10p.pdf pdf_icon

IXTX170P10P

PolarPTM VDSS = -100V IXTK170P10PID25 = -170APower MOSFET IXTX170P10P RDS(on) 12m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 V GD (TAB)SVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C -1

 8.1. Size:88K  ixys
 ixtk17n120l ixtx17n120l.pdf pdf_icon

IXTX170P10P

Advance Technical InformationIXTK17N120L VDSS = 1200 VLinear Power MOSFETIXTX17N120L ID25 = 17 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.99 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

 9.1. Size:178K  ixys
 ixtk120p20t ixtx120p20t.pdf pdf_icon

IXTX170P10P

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTK120P20TPower MOSFETs ID25 = - 120AIXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 200 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

 9.2. Size:159K  ixys
 ixtk120n65x2 ixtx120n65x2.pdf pdf_icon

IXTX170P10P

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXTX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS Continuous 30 VPLUS247 (IX

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTV30N50PS , IXTV30N60P , IXTV30N60PS , IXTV36N50P , IXTV36N50PS , IXTV86N25T , IXTV96N25T , IXTX110N20L2 , IRF840 , IXTX17N120L , IXTX200N10L2 , IXTX20N140 , IXTX22N100L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IXTX40P50P , IXTX46N50L .

History: TPCC8008 | IXTH44P15T | FMP20N50E | ME4972-G | HY1803C2 | P4506BD | DAMH50N500H

 

 
Back to Top

 


 
.