IXTX46N50L Todos los transistores

 

IXTX46N50L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTX46N50L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTX46N50L MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTX46N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  ixys
 ixtk46n50l ixtx46n50l.pdf pdf_icon

IXTX46N50L

Preliminary Technical InformationIXTK46N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETIXTX46N50L ID25 = 46 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

Otros transistores... IXTX170P10P , IXTX17N120L , IXTX200N10L2 , IXTX20N140 , IXTX22N100L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IXTX40P50P , IRF1404 , IXTX550N055T2 , IXTX5N250 , IXTX600N04T2 , IXTX60N50L2 , IXTX8N150L , IXTX90N25L2 , IXTX90P20P , IXTY01N100 .

History: SVGQ042R8NL5V-2HSTR | RJK6036DP3-A0 | CED02N6A | IPD60R1K0CE | ME1302AT3 | STN3446 | SM2621PSC

 

 
Back to Top

 


 
.