IXTX46N50L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTX46N50L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 46 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 600 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: PLUS247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTX46N50L
IXTX46N50L Datasheet (PDF)
ixtk46n50l ixtx46n50l.pdf
Preliminary Technical InformationIXTK46N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETIXTX46N50L ID25 = 46 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient
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