Справочник MOSFET. IXTX46N50L

 

IXTX46N50L Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTX46N50L
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 46 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 600 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXTX46N50L

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTX46N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:117K  ixys
 ixtk46n50l ixtx46n50l.pdf pdf_icon

IXTX46N50L

Preliminary Technical InformationIXTK46N50L VDSS = 500 VLinear Power MOSFETIXTX46N50L ID25 = 46 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.16 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

Другие MOSFET... IXTX170P10P , IXTX17N120L , IXTX200N10L2 , IXTX20N140 , IXTX22N100L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IXTX40P50P , IRF1404 , IXTX550N055T2 , IXTX5N250 , IXTX600N04T2 , IXTX60N50L2 , IXTX8N150L , IXTX90N25L2 , IXTX90P20P , IXTY01N100 .

 

 
Back to Top

 


 
.