IXTX60N50L2 Todos los transistores

 

IXTX60N50L2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTX60N50L2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 960 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 980 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

 Búsqueda de reemplazo de IXTX60N50L2 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXTX60N50L2 datasheet

 ..1. Size:221K  inchange semiconductor
 ixtx60n50l2.pdf pdf_icon

IXTX60N50L2

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTX60N50L2 FEATURES With TO-247 packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 500 V DSS V G

Otros transistores... IXTX22N100L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IXTX40P50P , IXTX46N50L , IXTX550N055T2 , IXTX5N250 , IXTX600N04T2 , IRFP260N , IXTX8N150L , IXTX90N25L2 , IXTX90P20P , IXTY01N100 , IXTY01N100D , IXTY01N80 , IXTY02N120P , IXTY02N50D .

History: PSMN004-55W

 

 
Back to Top

 


 
.