Справочник MOSFET. IXTX60N50L2

 

IXTX60N50L2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTX60N50L2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 960 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 980 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: PLUS247
 

 Аналог (замена) для IXTX60N50L2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTX60N50L2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:221K  inchange semiconductor
 ixtx60n50l2.pdf pdf_icon

IXTX60N50L2

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTX60N50L2FEATURESWith TO-247 packagingWith low gate drive requirementsEasy to drive100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Voltage 500 VDSSV G

Другие MOSFET... IXTX22N100L , IXTX24N100 , IXTX32P60P , IXTX40P50P , IXTX46N50L , IXTX550N055T2 , IXTX5N250 , IXTX600N04T2 , 10N60 , IXTX8N150L , IXTX90N25L2 , IXTX90P20P , IXTY01N100 , IXTY01N100D , IXTY01N80 , IXTY02N120P , IXTY02N50D .

History: SVF12N65CF | TF3402 | 2SK1409 | BUK7Y7R2-60E | TSM3457CX6 | CSD85312Q3E | 2SK4075B

 

 
Back to Top

 


 
.