IXTY3N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTY3N50P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.6 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 400 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252AA
Búsqueda de reemplazo de IXTY3N50P MOSFET
IXTY3N50P Datasheet (PDF)
ixta3n50p ixtp3n50p ixty3n50p.pdf
IXTA 3N50P VDSS = 500 VPolarHVTMIXTP 3N50P ID25 = 3.6 APower MOSFET IXTY 3N50P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 VVGSS 30 VVGSM 40 V(TAB)GDSID25 TC = 25 C 3.6 AIDM
ixta3n60p ixtp3n60p ixty3n60p.pdf
IXTA 3N60PVDSS = 600 VPolarHVTMIXTP 3N60PID25 = 3.0 APower MOSFETIXTY 3N60P RDS(on) 2.9 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 VVGS Continuous 30 VGSVGSM Transient 40 V(TAB)ID25 T
Otros transistores... IXTY1R6N50D2 , IXTY1R6N50P , IXTY26P10T , IXTY2N100P , IXTY2N60P , IXTY2N80P , IXTY2R4N50P , IXTY32P05T , IRF4905 , IXTY3N60P , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T , IXTY55N075T , IXTY5N50P , IXTY64N055T .
Liste
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