IXTY3N50P - описание и поиск аналогов

 

IXTY3N50P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTY3N50P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 400 ns

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: TO252AA

Аналог (замена) для IXTY3N50P

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY3N50P даташит

 ..1. Size:237K  ixys
 ixta3n50p ixtp3n50p ixty3n50p.pdf pdf_icon

IXTY3N50P

IXTA 3N50P VDSS = 500 V PolarHVTM IXTP 3N50P ID25 = 3.6 A Power MOSFET IXTY 3N50P RDS(on) 2.0 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V VGSS 30 V VGSM 40 V (TAB) G D S ID25 TC = 25 C 3.6 A IDM

 8.1. Size:228K  ixys
 ixta3n60p ixtp3n60p ixty3n60p.pdf pdf_icon

IXTY3N50P

IXTA 3N60P VDSS = 600 V PolarHVTM IXTP 3N60P ID25 = 3.0 A Power MOSFET IXTY 3N60P RDS(on) 2.9 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 600 V VGS Continuous 30 V G S VGSM Transient 40 V (TAB) ID25 T

Другие MOSFET... IXTY1R6N50D2 , IXTY1R6N50P , IXTY26P10T , IXTY2N100P , IXTY2N60P , IXTY2N80P , IXTY2R4N50P , IXTY32P05T , 5N65 , IXTY3N60P , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T , IXTY55N075T , IXTY5N50P , IXTY64N055T .

History: IXTY4N60P | IXTY1R6N100D2

 

 

 


 
↑ Back to Top
.