IXTY64N055T Todos los transistores

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IXTY64N055T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTY64N055T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 130 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 55 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Corriente continua de drenaje (Id): 64 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.013 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO252AA

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IXTY64N055T Datasheet (PDF)

1.1. ixtp64n055t ixty64n055t.pdf Size:170K _ixys

IXTY64N055T
IXTY64N055T

Preliminary Technical Information IXTP64N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTY64N055T ID25 = 64 A Power MOSFET ? ? RDS(on) ? 13 m? ? ? ? ? ? ? N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220 (IXTP) D (TAB) G D S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25C to 175C55 V TO-252 (IXTY) VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M? 55 V VGSM Transient 20 V G ID25 TC = 25C64 A IL

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