IXTY64N055T Todos los transistores

 

IXTY64N055T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTY64N055T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252AA
 

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IXTY64N055T datasheet

 ..1. Size:170K  ixys
 ixtp64n055t ixty64n055t.pdf pdf_icon

IXTY64N055T

Preliminary Technical Information IXTP64N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTY64N055T ID25 = 64 A Power MOSFET RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220 (IXTP) D (TAB) G D S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V TO-252 (IXTY) VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V VGSM Transient 20 V G

Otros transistores... IXTY3N50P , IXTY3N60P , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T , IXTY55N075T , IXTY5N50P , STP80NF70 , IXTZ550N055T2 , IXUC160N075 , IXUV170N075 , IXUV170N075S , LKK47-06C5 , MKE11R600DCGFC , FCH110N65F , FCP110N65F .

 

 
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