IXTY64N055T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTY64N055T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 64 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252AA
Búsqueda de reemplazo de IXTY64N055T MOSFET
IXTY64N055T Datasheet (PDF)
ixtp64n055t ixty64n055t.pdf

Preliminary Technical InformationIXTP64N055T VDSS = 55 VTrenchMVTMIXTY64N055T ID25 = 64 APower MOSFET RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-220 (IXTP)D (TAB)GDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VTO-252 (IXTY)VDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 55 VVGSM Transient 20 VG
Otros transistores... IXTY3N50P , IXTY3N60P , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T , IXTY55N075T , IXTY5N50P , 20N50 , IXTZ550N055T2 , IXUC160N075 , IXUV170N075 , IXUV170N075S , LKK47-06C5 , MKE11R600DCGFC , FCH110N65F , FCP110N65F .
History: WFP5N50 | HFP4N90 | BL13N25L-D | STD7NM50N | APT6038SLLG | FMI12N50E | IPD068N10N3
History: WFP5N50 | HFP4N90 | BL13N25L-D | STD7NM50N | APT6038SLLG | FMI12N50E | IPD068N10N3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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