IXTY64N055T - описание и поиск аналогов

 

IXTY64N055T. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTY64N055T

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 64 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: TO252AA

Аналог (замена) для IXTY64N055T

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTY64N055T даташит

 ..1. Size:170K  ixys
 ixtp64n055t ixty64n055t.pdf pdf_icon

IXTY64N055T

Preliminary Technical Information IXTP64N055T VDSS = 55 V TrenchMVTM IXTY64N055T ID25 = 64 A Power MOSFET RDS(on) 13 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-220 (IXTP) D (TAB) G D S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V TO-252 (IXTY) VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 55 V VGSM Transient 20 V G

Другие MOSFET... IXTY3N50P , IXTY3N60P , IXTY44N10T , IXTY48P05T , IXTY4N60P , IXTY50N085T , IXTY55N075T , IXTY5N50P , STP80NF70 , IXTZ550N055T2 , IXUC160N075 , IXUV170N075 , IXUV170N075S , LKK47-06C5 , MKE11R600DCGFC , FCH110N65F , FCP110N65F .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.