IXUC160N075 Todos los transistores

 

IXUC160N075 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXUC160N075
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS220
 

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IXUC160N075 datasheet

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IXUC160N075

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IXUC160N075

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION Trench Power MOSFET IXUC100N055 VDSS = 55 V ISOPLUS220TM ID25 = 100 A Electrically Isolated Back Surface RDS(on)= 7.7 m ISOPLUS 220TM Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C55 V G D VGS Continuous 20 V S Isolated back surface* ID25 TC = 25 C; Note 1 100 A G = Gate, D = Drain, ID90 TC = 90 C, Note 1 8

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