IXUC160N075 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXUC160N075
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 250 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0065 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOPLUS220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXUC160N075

IXUC160N075 Datasheet (PDF)

..1. Size:511K ixys
ixuc160n075.pdf

ADVANCED TECHNICAL INFORMATIONTrench Power MOSFET IXUC160N075 VDSS = 75 VISOPLUS220TM ID25 = 160 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on)= 6.5 mISOPLUS 220TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C75 VDSIsolated back surface*VGS Continuous 20 VID25 TC = 25C; Note 1 160 A G = Gate, D = Drain,S = SourceID90 TC = 90

9.1. Size:539K ixys
ixuc100n055.pdf

ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONTrench Power MOSFET IXUC100N055 VDSS = 55 VISOPLUS220TM ID25 = 100 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on)= 7.7 mISOPLUS 220TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C55 VGDVGS Continuous 20 VSIsolated back surface*ID25 TC = 25C; Note 1 100 AG = Gate, D = Drain,ID90 TC = 90C, Note 1 8

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Liste

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