Справочник MOSFET. IXUC160N075

 

IXUC160N075 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXUC160N075
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 75 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 250 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0065 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS220
 

 Аналог (замена) для IXUC160N075

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXUC160N075 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:511K  ixys
 ixuc160n075.pdf pdf_icon

IXUC160N075

ADVANCED TECHNICAL INFORMATIONTrench Power MOSFET IXUC160N075 VDSS = 75 VISOPLUS220TM ID25 = 160 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on)= 6.5 mISOPLUS 220TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C75 VDSIsolated back surface*VGS Continuous 20 VID25 TC = 25C; Note 1 160 A G = Gate, D = Drain,S = SourceID90 TC = 90

 9.1. Size:539K  ixys
 ixuc100n055.pdf pdf_icon

IXUC160N075

ADVANCE TECHNICAL INFORMATIONTrench Power MOSFET IXUC100N055 VDSS = 55 VISOPLUS220TM ID25 = 100 AElectrically Isolated Back Surface RDS(on)= 7.7 mISOPLUS 220TMSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C55 VGDVGS Continuous 20 VSIsolated back surface*ID25 TC = 25C; Note 1 100 AG = Gate, D = Drain,ID90 TC = 90C, Note 1 8

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRF540Z | STP5N50

 

 
Back to Top

 


 
.