MKE11R600DCGFC Todos los transistores

 

MKE11R600DCGFC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MKE11R600DCGFC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 390 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: I4PAC
     - Selección de transistores por parámetros

 

MKE11R600DCGFC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  ixys
 mke11r600dcgfc.pdf pdf_icon

MKE11R600DCGFC

MKE 11R600DCGFCID25 = 15 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 Vwith SiC DiodeRDS(on) max = 0.165 Boost topology3ISOPLUS i4Electrically isolated back surfaceSiC2500 V electrical isolation D411isolated backE72873 5surfaceT2FeaturesMOSFET T Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratingssubstrate VDSS TVJ = 25C 6

Otros transistores... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: NP80N03NLE | FDN338 | 2SJ610 | 2SK3107C | S15H12RP | CEP740A | S10H12S

 

 
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