MKE11R600DCGFC MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MKE11R600DCGFC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 390 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: I4PAC

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MKE11R600DCGFC

MKE11R600DCGFC Datasheet (PDF)

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mke11r600dcgfc.pdf

MKE 11R600DCGFCID25 = 15 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 Vwith SiC DiodeRDS(on) max = 0.165 Boost topology3ISOPLUS i4Electrically isolated back surfaceSiC2500 V electrical isolation D411isolated backE72873 5surfaceT2FeaturesMOSFET T Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratingssubstrate VDSS TVJ = 25C 6

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: