MKE11R600DCGFC Todos los transistores

 

MKE11R600DCGFC MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MKE11R600DCGFC
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 390 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm
   Paquete / Cubierta: I4PAC
 

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MKE11R600DCGFC datasheet

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MKE11R600DCGFC

MKE 11R600DCGFC ID25 = 15 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V with SiC Diode RDS(on) max = 0.165 Boost topology 3 ISOPLUS i4 Electrically isolated back surface SiC 2500 V electrical isolation D 4 1 1 isolated back E72873 5 surface T 2 Features MOSFET T Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratings substrate VDSS TVJ = 25 C 6

Otros transistores... IXTY55N075T , IXTY5N50P , IXTY64N055T , IXTZ550N055T2 , IXUC160N075 , IXUV170N075 , IXUV170N075S , LKK47-06C5 , IRFP250 , FCH110N65F , FCP110N65F , MMIX1F520N075T2 , MMIX1T550N055T2 , MMIX1T600N04T2 , VBH40-05B , VHM40-06P1 , VKM40-06P1 .

History: IRHLUC7670Z4

 

 

 


 
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