MKE11R600DCGFC - описание и поиск аналогов

 

MKE11R600DCGFC. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MKE11R600DCGFC

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 390 ns

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm

Тип корпуса: I4PAC

Аналог (замена) для MKE11R600DCGFC

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MKE11R600DCGFC даташит

 ..1. Size:217K  ixys
 mke11r600dcgfc.pdf pdf_icon

MKE11R600DCGFC

MKE 11R600DCGFC ID25 = 15 A CoolMOS 1) Power MOSFET VDSS = 600 V with SiC Diode RDS(on) max = 0.165 Boost topology 3 ISOPLUS i4 Electrically isolated back surface SiC 2500 V electrical isolation D 4 1 1 isolated back E72873 5 surface T 2 Features MOSFET T Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratings substrate VDSS TVJ = 25 C 6

Другие MOSFET... IXTY55N075T , IXTY5N50P , IXTY64N055T , IXTZ550N055T2 , IXUC160N075 , IXUV170N075 , IXUV170N075S , LKK47-06C5 , IRFP250 , FCH110N65F , FCP110N65F , MMIX1F520N075T2 , MMIX1T550N055T2 , MMIX1T600N04T2 , VBH40-05B , VHM40-06P1 , VKM40-06P1 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.