Справочник MOSFET. MKE11R600DCGFC

 

MKE11R600DCGFC MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: MKE11R600DCGFC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 390 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: I4PAC

 Аналог (замена) для MKE11R600DCGFC

 

 

MKE11R600DCGFC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  ixys
 mke11r600dcgfc.pdf

MKE11R600DCGFC MKE11R600DCGFC

MKE 11R600DCGFCID25 = 15 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 Vwith SiC DiodeRDS(on) max = 0.165 Boost topology3ISOPLUS i4Electrically isolated back surfaceSiC2500 V electrical isolation D411isolated backE72873 5surfaceT2FeaturesMOSFET T Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratingssubstrate VDSS TVJ = 25C 6

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top