Справочник MOSFET. MKE11R600DCGFC

 

MKE11R600DCGFC Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MKE11R600DCGFC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 40 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 390 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: I4PAC
 

 Аналог (замена) для MKE11R600DCGFC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MKE11R600DCGFC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  ixys
 mke11r600dcgfc.pdf pdf_icon

MKE11R600DCGFC

MKE 11R600DCGFCID25 = 15 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 Vwith SiC DiodeRDS(on) max = 0.165 Boost topology3ISOPLUS i4Electrically isolated back surfaceSiC2500 V electrical isolation D411isolated backE72873 5surfaceT2FeaturesMOSFET T Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratingssubstrate VDSS TVJ = 25C 6

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , AON7506 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: IXTY48P05T

 

 
Back to Top

 


 
.