MKE11R600DCGFC - аналоги и даташиты транзистора

 

MKE11R600DCGFC - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: MKE11R600DCGFC
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 390 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.165 Ohm
   Тип корпуса: I4PAC
 

 Аналог (замена) для MKE11R600DCGFC

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MKE11R600DCGFC Datasheet (PDF)

 ..1. Size:217K  ixys
 mke11r600dcgfc.pdf pdf_icon

MKE11R600DCGFC

MKE 11R600DCGFCID25 = 15 ACoolMOS 1) Power MOSFETVDSS = 600 Vwith SiC DiodeRDS(on) max = 0.165 Boost topology3ISOPLUS i4Electrically isolated back surfaceSiC2500 V electrical isolation D411isolated backE72873 5surfaceT2FeaturesMOSFET T Silicon chip on Direct-Copper-Bond Symbol Conditions Maximum Ratingssubstrate VDSS TVJ = 25C 6

Другие MOSFET... IXTY55N075T , IXTY5N50P , IXTY64N055T , IXTZ550N055T2 , IXUC160N075 , IXUV170N075 , IXUV170N075S , LKK47-06C5 , IRFP250 , FCH110N65F , FCP110N65F , MMIX1F520N075T2 , MMIX1T550N055T2 , MMIX1T600N04T2 , VBH40-05B , VHM40-06P1 , VKM40-06P1 .

History: MDF4N60TP | H2N65U | IRF3205ZS | SIHF540 | MDF7N65BTH | TMP2N60Z | 2SK3442

 

 
Back to Top

 


 
.