VMM650-01F Todos los transistores

 

VMM650-01F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VMM650-01F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 680 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0022 Ohm
   Paquete / Cubierta: Y3LI
 

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VMM650-01F datasheet

 ..1. Size:101K  ixys
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VMM650-01F

VMM 650-01F VDSS = 100 V Dual Power ID25 = 680 A HiPerFETTM Module RDS(on) = 1.8 m Phaseleg Configuration 3 Preliminary Data 8 9 1 11 10 2 6 7 NTC Features MOSFET T1 + T2 HiPerFET TM technology Symbol Conditions Maximum Ratings low RDSon VDSS TVJ = 25 C to 150 C 100 V unclamped inductive switching (UIS) capability VGS 20 V dv/

Otros transistores... VHM40-06P1 , VKM40-06P1 , VKM60-01P1 , VMK165-007T , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F , 8N60 , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , VMO650-01F .

History: MMIX1T600N04T2

 

 

 


 
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