Справочник MOSFET. VMM650-01F

 

VMM650-01F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VMM650-01F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 680 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1440 nC
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI

 Аналог (замена) для VMM650-01F

 

 

VMM650-01F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  ixys
 vmm650-01f.pdf

VMM650-01F VMM650-01F

VMM 650-01FVDSS = 100 VDual PowerID25 = 680 AHiPerFETTM ModuleRDS(on) = 1.8 mPhaseleg Configuration3Preliminary Data8911110 267NTCFeatures MOSFET T1 + T2 HiPerFET TM technologySymbol Conditions Maximum Ratings low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V unclamped inductive switching (UIS)capabilityVGS 20 V dv/

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top