VMM650-01F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VMM650-01F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 680 A
tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
Тип корпуса: Y3LI
Аналог (замена) для VMM650-01F
VMM650-01F Datasheet (PDF)
vmm650-01f.pdf

VMM 650-01FVDSS = 100 VDual PowerID25 = 680 AHiPerFETTM ModuleRDS(on) = 1.8 mPhaseleg Configuration3Preliminary Data8911110 267NTCFeatures MOSFET T1 + T2 HiPerFET TM technologySymbol Conditions Maximum Ratings low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V unclamped inductive switching (UIS)capabilityVGS 20 V dv/
Другие MOSFET... VHM40-06P1 , VKM40-06P1 , VKM60-01P1 , VMK165-007T , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F , K2611 , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , VMO650-01F .
History: UF840KG-TF1-T | HGB042N10A | ME2307-G | WML10N70EM | SQJ860EP | AP4407I | 2SK2095N
History: UF840KG-TF1-T | HGB042N10A | ME2307-G | WML10N70EM | SQJ860EP | AP4407I | 2SK2095N



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84