VMM650-01F. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: VMM650-01F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 680 A
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
Тип корпуса: Y3LI
Аналог (замена) для VMM650-01F
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
VMM650-01F даташит
vmm650-01f.pdf
VMM 650-01F VDSS = 100 V Dual Power ID25 = 680 A HiPerFETTM Module RDS(on) = 1.8 m Phaseleg Configuration 3 Preliminary Data 8 9 1 11 10 2 6 7 NTC Features MOSFET T1 + T2 HiPerFET TM technology Symbol Conditions Maximum Ratings low RDSon VDSS TVJ = 25 C to 150 C 100 V unclamped inductive switching (UIS) capability VGS 20 V dv/
Другие MOSFET... VHM40-06P1 , VKM40-06P1 , VKM60-01P1 , VMK165-007T , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F , 8N60 , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , VMO650-01F .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: HAF1008S | HAF1008L | EMZB08P03H | CS30N20FA9R | AOT66613L | AOSP21313C | AOSP21311C | AOB66918L | AO3415C | AOTF20N40L | AOTF11N60L | AOT11N60L | AONS21303C | AOI280A60 | AOB66914L | AO3485C
Popular searches
2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84

