Справочник MOSFET. VMM650-01F

 

VMM650-01F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMM650-01F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 680 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI
 

 Аналог (замена) для VMM650-01F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMM650-01F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  ixys
 vmm650-01f.pdf pdf_icon

VMM650-01F

VMM 650-01FVDSS = 100 VDual PowerID25 = 680 AHiPerFETTM ModuleRDS(on) = 1.8 mPhaseleg Configuration3Preliminary Data8911110 267NTCFeatures MOSFET T1 + T2 HiPerFET TM technologySymbol Conditions Maximum Ratings low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V unclamped inductive switching (UIS)capabilityVGS 20 V dv/

Другие MOSFET... VHM40-06P1 , VKM40-06P1 , VKM60-01P1 , VMK165-007T , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F , K2611 , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , VMO650-01F .

History: HGT019N08A | CES2362 | STW12N120K5 | DMN6068LK3-13 | AON2801 | IXFH60N20F | IXTH96N20P

 

 
Back to Top

 


 
.