Справочник MOSFET. VMM650-01F

 

VMM650-01F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMM650-01F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 680 A
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0022 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VMM650-01F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:101K  ixys
 vmm650-01f.pdf pdf_icon

VMM650-01F

VMM 650-01FVDSS = 100 VDual PowerID25 = 680 AHiPerFETTM ModuleRDS(on) = 1.8 mPhaseleg Configuration3Preliminary Data8911110 267NTCFeatures MOSFET T1 + T2 HiPerFET TM technologySymbol Conditions Maximum Ratings low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V unclamped inductive switching (UIS)capabilityVGS 20 V dv/

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: MTP3N50 | AO6804A | 4N70G-TF1-T | AOT426 | WMJ38N60C2 | ZXMN2AMC | IPF06N03LA

 

 
Back to Top

 


 
.