VMM85-02F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VMM85-02F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 370 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 84 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.025 Ohm
Encapsulados: Y4M5
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VMM85-02F datasheet
vmm85-02f.pdf
VDSS = 200 V VMM 85-02F Dual Power ID25 = 84 A HiPerFETTM Module RDS(on) = 25 mW Phaseleg Configuration High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family 11 3 10 3 2 9 1 8 8 9 1 11 10 1 = Drain 1, Source 2 2 2 = Source 1 3 = Drain 2 8 = Gate 2 9 = Kelvin Source 2 10 = Kelvin Source 1 11 = Gate 1 Symbol Conditions Maximum Ratings Features VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V Two
Otros transistores... VKM40-06P1, VKM60-01P1, VMK165-007T, VMK90-02T2, VMM1500-0075X2, VMM300-03F, VMM45-02F, VMM650-01F, P60NF06, VMM90-09F, VMO1200-01F, VMO1600-02P, VMO550-01F, VMO580-02F, VMO60-05F, VMO650-01F, VWM270-0075X2
History: SSF4604 | FQA12N60 | FMV20N50E | PHP7N60E | BUK9660-100A | AP2306GN-HF | FQAF44N08
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Liste
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