VMM85-02F - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: VMM85-02F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
tr ⓘ - Время нарастания: 100 ns
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
Тип корпуса: Y4M5
Аналог (замена) для VMM85-02F
VMM85-02F Datasheet (PDF)
vmm85-02f.pdf

VDSS = 200 V VMM 85-02FDual PowerID25 = 84 AHiPerFETTM ModuleRDS(on) = 25 mWPhaseleg ConfigurationHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family11310329188911110 1 = Drain 1, Source 22 2 = Source 1 3 = Drain 2 8 = Gate 2 9 = Kelvin Source 210 = Kelvin Source 1 11 = Gate 1Symbol Conditions Maximum Ratings FeaturesVDSS TJ = 25C to 150C 200 V Two
Другие MOSFET... VKM40-06P1 , VKM60-01P1 , VMK165-007T , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F , VMM650-01F , MMIS60R580P , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , VMO650-01F , VWM270-0075X2 .
History: IPP040N06N3G | SQ2303ES | IPP114N03LG | IPP024N06N3G | HM8205A | IXTH36N50P
History: IPP040N06N3G | SQ2303ES | IPP114N03LG | IPP024N06N3G | HM8205A | IXTH36N50P



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
tip130 | se9302 transistor | fr5305 datasheet | y2 transistor | 40n06 | bc108b | oc84 | c6090