Справочник MOSFET. VMM85-02F

 

VMM85-02F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VMM85-02F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 370 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 84 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 380 nC
   trⓘ - Время нарастания: 100 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.025 Ohm
   Тип корпуса: Y4M5

 Аналог (замена) для VMM85-02F

 

 

VMM85-02F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:83K  ixys
 vmm85-02f.pdf

VMM85-02F VMM85-02F

VDSS = 200 V VMM 85-02FDual PowerID25 = 84 AHiPerFETTM ModuleRDS(on) = 25 mWPhaseleg ConfigurationHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family11310329188911110 1 = Drain 1, Source 22 2 = Source 1 3 = Drain 2 8 = Gate 2 9 = Kelvin Source 210 = Kelvin Source 1 11 = Gate 1Symbol Conditions Maximum Ratings FeaturesVDSS TJ = 25C to 150C 200 V Two

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRF1407 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top