VMM90-09F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VMM90-09F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm
Paquete / Cubierta: Y3LI
Búsqueda de reemplazo de VMM90-09F MOSFET
VMM90-09F Datasheet (PDF)
vmm90-09f.pdf

VMM 90-09FVDSS = 900 VDual PowerID25 = 85 AHiPerFETTM ModuleRDS(on) = 76 mPhaseleg Configuration38911110 267NTCFeatures MOSFET T1 + T2 HiPerFET TM technologySymbol Conditions Maximum Ratings low RDSon unclamped inductive switching (UIS)VDSS TVJ = 25C to 150C 900 Vcapability dv/dt ruggednessVGS 20 V fa
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History: 10N80G-T3P-T | IPP114N12N3G | IXTH36N50P | IPP034N03LG
History: 10N80G-T3P-T | IPP114N12N3G | IXTH36N50P | IPP034N03LG



Liste
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