VMM90-09F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VMM90-09F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1000 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 900 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 85 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.076 Ohm

Encapsulados: Y3LI

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VMM90-09F datasheet

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VMM90-09F

VMM 90-09F VDSS = 900 V Dual Power ID25 = 85 A HiPerFETTM Module RDS(on) = 76 m Phaseleg Configuration 3 8 9 1 11 10 2 6 7 NTC Features MOSFET T1 + T2 HiPerFET TM technology Symbol Conditions Maximum Ratings low RDSon unclamped inductive switching (UIS) VDSS TVJ = 25 C to 150 C 900 V capability dv/dt ruggedness VGS 20 V fa

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