VMM90-09F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VMM90-09F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 900 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm

Тип корпуса: Y3LI

Аналог (замена) для VMM90-09F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMM90-09F даташит

 ..1. Size:125K  ixys
 vmm90-09f.pdf pdf_icon

VMM90-09F

VMM 90-09F VDSS = 900 V Dual Power ID25 = 85 A HiPerFETTM Module RDS(on) = 76 m Phaseleg Configuration 3 8 9 1 11 10 2 6 7 NTC Features MOSFET T1 + T2 HiPerFET TM technology Symbol Conditions Maximum Ratings low RDSon unclamped inductive switching (UIS) VDSS TVJ = 25 C to 150 C 900 V capability dv/dt ruggedness VGS 20 V fa

Другие IGBT... VKM60-01P1, VMK165-007T, VMK90-02T2, VMM1500-0075X2, VMM300-03F, VMM45-02F, VMM650-01F, VMM85-02F, 75N75, VMO1200-01F, VMO1600-02P, VMO550-01F, VMO580-02F, VMO60-05F, VMO650-01F, VWM270-0075X2, 2N7002BK