Справочник MOSFET. VMM90-09F

 

VMM90-09F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMM90-09F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI
 

 Аналог (замена) для VMM90-09F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMM90-09F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  ixys
 vmm90-09f.pdf pdf_icon

VMM90-09F

VMM 90-09FVDSS = 900 VDual PowerID25 = 85 AHiPerFETTM ModuleRDS(on) = 76 mPhaseleg Configuration38911110 267NTCFeatures MOSFET T1 + T2 HiPerFET TM technologySymbol Conditions Maximum Ratings low RDSon unclamped inductive switching (UIS)VDSS TVJ = 25C to 150C 900 Vcapability dv/dt ruggednessVGS 20 V fa

Другие MOSFET... VKM60-01P1 , VMK165-007T , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F , VMM650-01F , VMM85-02F , IRF520 , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , VMO650-01F , VWM270-0075X2 , 2N7002BK .

History: DMG2305UX | HFP50N06A

 

 
Back to Top

 


 
.