Справочник MOSFET. VMM90-09F

 

VMM90-09F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VMM90-09F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1000 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 900 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 85 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 960 nC
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.076 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI

 Аналог (замена) для VMM90-09F

 

 

VMM90-09F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:125K  ixys
 vmm90-09f.pdf

VMM90-09F VMM90-09F

VMM 90-09FVDSS = 900 VDual PowerID25 = 85 AHiPerFETTM ModuleRDS(on) = 76 mPhaseleg Configuration38911110 267NTCFeatures MOSFET T1 + T2 HiPerFET TM technologySymbol Conditions Maximum Ratings low RDSon unclamped inductive switching (UIS)VDSS TVJ = 25C to 150C 900 Vcapability dv/dt ruggednessVGS 20 V fa

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top