VMO1200-01F Todos los transistores

 

VMO1200-01F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: VMO1200-01F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1220 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 1020 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00125 Ohm
   Paquete / Cubierta: Y3LI
     - Selección ⓘ de transistores por parámetros