Справочник MOSFET. VMO1200-01F

 

VMO1200-01F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMO1200-01F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1220 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 1020 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO1200-01F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  ixys
 vmo1200-01f.pdf pdf_icon

VMO1200-01F

VMO 1200-01FVDSS = 100 VPolarHT ModuleID25 = 1220 AN-Channel Enhancement Mode RDS(on) = 1.25 m max.DDSGKSKSSGFeaturesMOSFET PolarHT MOSFET technologySymbol Conditions Maximum Ratings- low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V- dv/dt ruggednessVGS 20 V- fast intrinsic reverse diode package ID25 TC = 25C 1220 A - low inductive cu

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: CJA9451 | FDMC8015L | NTJD4105C | SI1402DH | 2N4338 | GSM3436 | MTN4N60AE3

 

 
Back to Top

 


 
.