Справочник MOSFET. VMO1200-01F

 

VMO1200-01F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMO1200-01F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1220 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 1020 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI
 

 Аналог (замена) для VMO1200-01F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO1200-01F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:509K  ixys
 vmo1200-01f.pdf pdf_icon

VMO1200-01F

VMO 1200-01FVDSS = 100 VPolarHT ModuleID25 = 1220 AN-Channel Enhancement Mode RDS(on) = 1.25 m max.DDSGKSKSSGFeaturesMOSFET PolarHT MOSFET technologySymbol Conditions Maximum Ratings- low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 100 V- dv/dt ruggednessVGS 20 V- fast intrinsic reverse diode package ID25 TC = 25C 1220 A - low inductive cu

Другие MOSFET... VMK165-007T , VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F , VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , RU6888R , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , VMO650-01F , VWM270-0075X2 , 2N7002BK , 2N7002BKM .

History: DKI10526 | ELM544539A | UF630G-TF2-T | OSG65R020HT3F | SVS7N65D | CEB10N6 | NP84N075CUE

 

 
Back to Top

 


 
.