VMO1200-01F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VMO1200-01F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1220 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 1020 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.00125 Ohm

Тип корпуса: Y3LI

Аналог (замена) для VMO1200-01F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO1200-01F даташит

 ..1. Size:509K  ixys
 vmo1200-01f.pdf pdf_icon

VMO1200-01F

VMO 1200-01F VDSS = 100 V PolarHT Module ID25 = 1220 A N-Channel Enhancement Mode RDS(on) = 1.25 m max. D D S G KS KS S G Features MOSFET PolarHT MOSFET technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon VDSS TVJ = 25 C to 150 C 100 V - dv/dt ruggedness VGS 20 V - fast intrinsic reverse diode package ID25 TC = 25 C 1220 A - low inductive cu

Другие IGBT... VMK165-007T, VMK90-02T2, VMM1500-0075X2, VMM300-03F, VMM45-02F, VMM650-01F, VMM85-02F, VMM90-09F, AO3400A, VMO1600-02P, VMO550-01F, VMO580-02F, VMO60-05F, VMO650-01F, VWM270-0075X2, 2N7002BK, 2N7002BKM