VMO1600-02P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VMO1600-02P
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1600 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 700 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0017 Ohm
Paquete / Cubierta: Y3LI
Búsqueda de reemplazo de VMO1600-02P MOSFET
VMO1600-02P Datasheet (PDF)
vmo1600-02p.pdf

VMO 1600-02P VDSS = 200 VPolarHTTM ModuleID80 = 1600 AN-Channel Enhancement ModeRDS(on) = 1.7 mW max.DDSGKSKSGSFeaturesMOSFET PolarHTTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings- low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 200 V - dv/dt ruggedness- fast intrinsic reverse diodeVGS 20 V Package - low inductive current pathID25 TC = 25C 1900 A
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History: IRFBF30
History: IRFBF30



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