Справочник MOSFET. VMO1600-02P

 

VMO1600-02P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMO1600-02P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1600 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI
 

 Аналог (замена) для VMO1600-02P

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO1600-02P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 vmo1600-02p.pdf pdf_icon

VMO1600-02P

VMO 1600-02P VDSS = 200 VPolarHTTM ModuleID80 = 1600 AN-Channel Enhancement ModeRDS(on) = 1.7 mW max.DDSGKSKSGSFeaturesMOSFET PolarHTTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings- low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 200 V - dv/dt ruggedness- fast intrinsic reverse diodeVGS 20 V Package - low inductive current pathID25 TC = 25C 1900 A

Другие MOSFET... VMK90-02T2 , VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F , VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , IRF730 , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , VMO650-01F , VWM270-0075X2 , 2N7002BK , 2N7002BKM , 2N7002BKS .

History: AP9575GH-HF | NTMFS4C05N | HTD1K5N10 | KQB2N30 | BSS84DW | SL2301S | IRHMJ57160

 

 
Back to Top

 


 
.