Справочник MOSFET. VMO1600-02P

 

VMO1600-02P MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VMO1600-02P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1600 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2900 nC
   trⓘ - Время нарастания: 700 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI

 Аналог (замена) для VMO1600-02P

 

 

VMO1600-02P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 vmo1600-02p.pdf

VMO1600-02P VMO1600-02P

VMO 1600-02P VDSS = 200 VPolarHTTM ModuleID80 = 1600 AN-Channel Enhancement ModeRDS(on) = 1.7 mW max.DDSGKSKSGSFeaturesMOSFET PolarHTTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings- low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 200 V - dv/dt ruggedness- fast intrinsic reverse diodeVGS 20 V Package - low inductive current pathID25 TC = 25C 1900 A

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top