VMO1600-02P. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VMO1600-02P

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1600 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 700 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm

Тип корпуса: Y3LI

Аналог (замена) для VMO1600-02P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO1600-02P даташит

 ..1. Size:184K  ixys
 vmo1600-02p.pdf pdf_icon

VMO1600-02P

VMO 1600-02P VDSS = 200 V PolarHTTM Module ID80 = 1600 A N-Channel Enhancement Mode RDS(on) = 1.7 mW max. D D S G KS KS G S Features MOSFET PolarHTTM technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon VDSS TVJ = 25 C to 150 C 200 V - dv/dt ruggedness - fast intrinsic reverse diode VGS 20 V Package - low inductive current path ID25 TC = 25 C 1900 A

Другие IGBT... VMK90-02T2, VMM1500-0075X2, VMM300-03F, VMM45-02F, VMM650-01F, VMM85-02F, VMM90-09F, VMO1200-01F, IRFB31N20D, VMO550-01F, VMO580-02F, VMO60-05F, VMO650-01F, VWM270-0075X2, 2N7002BK, 2N7002BKM, 2N7002BKS