Справочник MOSFET. VMO1600-02P

 

VMO1600-02P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMO1600-02P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 1600 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 700 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0017 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO1600-02P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 vmo1600-02p.pdf pdf_icon

VMO1600-02P

VMO 1600-02P VDSS = 200 VPolarHTTM ModuleID80 = 1600 AN-Channel Enhancement ModeRDS(on) = 1.7 mW max.DDSGKSKSGSFeaturesMOSFET PolarHTTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings- low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 200 V - dv/dt ruggedness- fast intrinsic reverse diodeVGS 20 V Package - low inductive current pathID25 TC = 25C 1900 A

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: BL25N65-W | BUK114-50S | AON6560 | PDC4801R | IRF3707SPBF | NTMS4917NR2G | SIHG17N80E

 

 
Back to Top

 


 
.