VMO550-01F Todos los transistores

 

VMO550-01F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VMO550-01F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 590 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm
   Paquete / Cubierta: Y3DCB
 

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VMO550-01F Datasheet (PDF)

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VMO550-01F

VMO 550-01F VDSS = 100 VHiPerFETTMID25 = 590 AMOSFET ModuleRDS(on) = 2.1 mWDN-Channel Enhancement ModeGE 72873GPreliminary DataS KSKSS DSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 10 kW 100 VVGS Continuous 20 VD = Drain S = SourceVGSM Transient 30 VKS = Kelvin Source G = GateID25 TS = 25C 5

Otros transistores... VMM1500-0075X2 , VMM300-03F , VMM45-02F , VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , IRFZ48N , VMO580-02F , VMO60-05F , VMO650-01F , VWM270-0075X2 , 2N7002BK , 2N7002BKM , 2N7002BKS , 2N7002BKT .

History: SPA04N50C3 | IXFH28N60P3 | 2SK1905 | H4946S | IRF4104PBF | AP4034GH-HF | SWB065R68E7T

 

 
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