VMO550-01F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VMO550-01F

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 590 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0021 Ohm

Encapsulados: Y3DCB

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VMO550-01F datasheet

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VMO550-01F

VMO 550-01F VDSS = 100 V HiPerFETTM ID25 = 590 A MOSFET Module RDS(on) = 2.1 mW D N-Channel Enhancement Mode G E 72873 G Preliminary Data S KS KS S D Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 10 kW 100 V VGS Continuous 20 V D = Drain S = Source VGSM Transient 30 V KS = Kelvin Source G = Gate ID25 TS = 25 C 5

Otros transistores... VMM1500-0075X2, VMM300-03F, VMM45-02F, VMM650-01F, VMM85-02F, VMM90-09F, VMO1200-01F, VMO1600-02P, STP65NF06, VMO580-02F, VMO60-05F, VMO650-01F, VWM270-0075X2, 2N7002BK, 2N7002BKM, 2N7002BKS, 2N7002BKT