VMO550-01F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VMO550-01F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2200 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 6 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 590 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2000 nC
trⓘ - Время нарастания: 200 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm
Тип корпуса: Y3DCB
Аналог (замена) для VMO550-01F
VMO550-01F Datasheet (PDF)
vmo550-01f.pdf
VMO 550-01F VDSS = 100 VHiPerFETTMID25 = 590 AMOSFET ModuleRDS(on) = 2.1 mWDN-Channel Enhancement ModeGE 72873GPreliminary DataS KSKSS DSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 10 kW 100 VVGS Continuous 20 VD = Drain S = SourceVGSM Transient 30 VKS = Kelvin Source G = GateID25 TS = 25C 5
Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918