VMO550-01F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VMO550-01F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 590 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0021 Ohm

Тип корпуса: Y3DCB

Аналог (замена) для VMO550-01F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO550-01F даташит

 ..1. Size:46K  ixys
 vmo550-01f.pdf pdf_icon

VMO550-01F

VMO 550-01F VDSS = 100 V HiPerFETTM ID25 = 590 A MOSFET Module RDS(on) = 2.1 mW D N-Channel Enhancement Mode G E 72873 G Preliminary Data S KS KS S D Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 10 kW 100 V VGS Continuous 20 V D = Drain S = Source VGSM Transient 30 V KS = Kelvin Source G = Gate ID25 TS = 25 C 5

Другие IGBT... VMM1500-0075X2, VMM300-03F, VMM45-02F, VMM650-01F, VMM85-02F, VMM90-09F, VMO1200-01F, VMO1600-02P, STP65NF06, VMO580-02F, VMO60-05F, VMO650-01F, VWM270-0075X2, 2N7002BK, 2N7002BKM, 2N7002BKS, 2N7002BKT