VMO580-02F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VMO580-02F
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1500 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 580 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 350 nS
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm
Paquete / Cubierta: Y3LI
Búsqueda de reemplazo de VMO580-02F MOSFET
VMO580-02F Datasheet (PDF)
vmo580-02f.pdf

VDSS = 200 VVMO 580-02FHipPerFETTM ModuleID25 = 580 ARDS(on) = 3.8 mN-Channel Enhancement ModeDGSKSDGKSSPreliminary DataFeatures MOSFET HiPerFETTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings- low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 200 V - dv/dt ruggedness- fast intrinsic reverse diodeVGS 20 V package- low inductive curr
Otros transistores... VMM300-03F , VMM45-02F , VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , NCEP15T14 , VMO60-05F , VMO650-01F , VWM270-0075X2 , 2N7002BK , 2N7002BKM , 2N7002BKS , 2N7002BKT , 2N7002BKV .
History: SI5857DU | SM3307PSQG | PV563BA
History: SI5857DU | SM3307PSQG | PV563BA



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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