VMO580-02F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VMO580-02F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 580 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm

Тип корпуса: Y3LI

Аналог (замена) для VMO580-02F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO580-02F даташит

 ..1. Size:49K  ixys
 vmo580-02f.pdf pdf_icon

VMO580-02F

VDSS = 200 V VMO 580-02F HipPerFETTM Module ID25 = 580 A RDS(on) = 3.8 m N-Channel Enhancement Mode D G S KS D G KS S Preliminary Data Features MOSFET HiPerFETTM technology Symbol Conditions Maximum Ratings - low RDSon VDSS TVJ = 25 C to 150 C 200 V - dv/dt ruggedness - fast intrinsic reverse diode VGS 20 V package - low inductive curr

Другие IGBT... VMM300-03F, VMM45-02F, VMM650-01F, VMM85-02F, VMM90-09F, VMO1200-01F, VMO1600-02P, VMO550-01F, IRF1405, VMO60-05F, VMO650-01F, VWM270-0075X2, 2N7002BK, 2N7002BKM, 2N7002BKS, 2N7002BKT, 2N7002BKV