Справочник MOSFET. VMO580-02F

 

VMO580-02F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMO580-02F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 580 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO580-02F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  ixys
 vmo580-02f.pdf pdf_icon

VMO580-02F

VDSS = 200 VVMO 580-02FHipPerFETTM ModuleID25 = 580 ARDS(on) = 3.8 mN-Channel Enhancement ModeDGSKSDGKSSPreliminary DataFeatures MOSFET HiPerFETTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings- low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 200 V - dv/dt ruggedness- fast intrinsic reverse diodeVGS 20 V package- low inductive curr

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

History: AONU32320 | YTF840 | BSS138A | AP4N4R2H | STF20NM60D | 2SJ542

 

 
Back to Top

 


 
.