VMO580-02F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: VMO580-02F
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 580 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 2750 nC
trⓘ - Время нарастания: 350 ns
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
Тип корпуса: Y3LI
Аналог (замена) для VMO580-02F
VMO580-02F Datasheet (PDF)
vmo580-02f.pdf
VDSS = 200 VVMO 580-02FHipPerFETTM ModuleID25 = 580 ARDS(on) = 3.8 mN-Channel Enhancement ModeDGSKSDGKSSPreliminary DataFeatures MOSFET HiPerFETTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings- low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 200 V - dv/dt ruggedness- fast intrinsic reverse diodeVGS 20 V package- low inductive curr
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: DAMIA1100N100 | DAMI660N60 | DAMI560N100 | DAMI500N60 | DAMI450N100 | DAMI360N150 | DAMI330N60 | DAMI320N100 | DAMI300N150 | DAMI280N200 | DAMI220N200 | DAMI220N150 | DAMI160N200 | DAMI160N100 | DAMH75N500H | DAMH560N100