Справочник MOSFET. VMO580-02F

 

VMO580-02F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMO580-02F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 580 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI
 

 Аналог (замена) для VMO580-02F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO580-02F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  ixys
 vmo580-02f.pdf pdf_icon

VMO580-02F

VDSS = 200 VVMO 580-02FHipPerFETTM ModuleID25 = 580 ARDS(on) = 3.8 mN-Channel Enhancement ModeDGSKSDGKSSPreliminary DataFeatures MOSFET HiPerFETTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings- low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 200 V - dv/dt ruggedness- fast intrinsic reverse diodeVGS 20 V package- low inductive curr

Другие MOSFET... VMM300-03F , VMM45-02F , VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , NCEP15T14 , VMO60-05F , VMO650-01F , VWM270-0075X2 , 2N7002BK , 2N7002BKM , 2N7002BKS , 2N7002BKT , 2N7002BKV .

History: HY10P10U | IPB075N04LG

 

 
Back to Top

 


 
.