Справочник MOSFET. VMO580-02F

 

VMO580-02F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VMO580-02F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1500 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 580 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 350 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0038 Ohm
   Тип корпуса: Y3LI

 Аналог (замена) для VMO580-02F

 

 

VMO580-02F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:49K  ixys
 vmo580-02f.pdf

VMO580-02F VMO580-02F

VDSS = 200 VVMO 580-02FHipPerFETTM ModuleID25 = 580 ARDS(on) = 3.8 mN-Channel Enhancement ModeDGSKSDGKSSPreliminary DataFeatures MOSFET HiPerFETTM technologySymbol Conditions Maximum Ratings- low RDSonVDSS TVJ = 25C to 150C 200 V - dv/dt ruggedness- fast intrinsic reverse diodeVGS 20 V package- low inductive curr

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top