VMO60-05F Todos los transistores

 

VMO60-05F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VMO60-05F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 590 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO240AA
 

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VMO60-05F Datasheet (PDF)

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VMO60-05F

VDSS = 500 VVMO 60-05FHiPerFETTMID25 = 60 APower ModuleRDS(on) = 65 mWHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family13TO-240 AA615Preliminary Data 5631 = Drain 3 = Source5 = Gate 6 = Kelvin SourceSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesVDSS TJ = 25C to 150C 500 V International standard packageVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 10 kW 500 V Direct copper

Otros transistores... VMM45-02F , VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , MMIS60R580P , VMO650-01F , VWM270-0075X2 , 2N7002BK , 2N7002BKM , 2N7002BKS , 2N7002BKT , 2N7002BKV , 2N7002BKW .

History: RJM0306JSP | PB210BV | IRFS832 | ELM16400EA | FDR8305N | 2N7002F | NCE65N460

 

 
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