VMO60-05F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VMO60-05F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 590 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO240AA

Аналог (замена) для VMO60-05F

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO60-05F даташит

 ..1. Size:43K  ixys
 vmo60-05f.pdf pdf_icon

VMO60-05F

VDSS = 500 V VMO 60-05F HiPerFETTM ID25 = 60 A Power Module RDS(on) = 65 mW High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family 1 3 TO-240 AA 6 1 5 Preliminary Data 5 6 3 1 = Drain 3 = Source 5 = Gate 6 = Kelvin Source Symbol Conditions Maximum Ratings Features VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V International standard package VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 10 kW 500 V Direct copper

Другие IGBT... VMM45-02F, VMM650-01F, VMM85-02F, VMM90-09F, VMO1200-01F, VMO1600-02P, VMO550-01F, VMO580-02F, 7N60, VMO650-01F, VWM270-0075X2, 2N7002BK, 2N7002BKM, 2N7002BKS, 2N7002BKT, 2N7002BKV, 2N7002BKW