Справочник MOSFET. VMO60-05F

 

VMO60-05F MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: VMO60-05F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 590 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 405 nC
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO240AA

 Аналог (замена) для VMO60-05F

 

 

VMO60-05F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  ixys
 vmo60-05f.pdf

VMO60-05F VMO60-05F

VDSS = 500 VVMO 60-05FHiPerFETTMID25 = 60 APower ModuleRDS(on) = 65 mWHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family13TO-240 AA615Preliminary Data 5631 = Drain 3 = Source5 = Gate 6 = Kelvin SourceSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesVDSS TJ = 25C to 150C 500 V International standard packageVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 10 kW 500 V Direct copper

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top