Справочник MOSFET. VMO60-05F

 

VMO60-05F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMO60-05F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 590 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO240AA
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO60-05F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  ixys
 vmo60-05f.pdf pdf_icon

VMO60-05F

VDSS = 500 VVMO 60-05FHiPerFETTMID25 = 60 APower ModuleRDS(on) = 65 mWHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family13TO-240 AA615Preliminary Data 5631 = Drain 3 = Source5 = Gate 6 = Kelvin SourceSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesVDSS TJ = 25C to 150C 500 V International standard packageVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 10 kW 500 V Direct copper

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: FDC637AN | SI1417EDH | SML1002R4CN | NCE75H21T | GM4947 | IXKR47N60C5 | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.