Справочник MOSFET. VMO60-05F

 

VMO60-05F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMO60-05F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 590 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO240AA
 

 Аналог (замена) для VMO60-05F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO60-05F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:43K  ixys
 vmo60-05f.pdf pdf_icon

VMO60-05F

VDSS = 500 VVMO 60-05FHiPerFETTMID25 = 60 APower ModuleRDS(on) = 65 mWHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family13TO-240 AA615Preliminary Data 5631 = Drain 3 = Source5 = Gate 6 = Kelvin SourceSymbol Conditions Maximum Ratings FeaturesVDSS TJ = 25C to 150C 500 V International standard packageVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 10 kW 500 V Direct copper

Другие MOSFET... VMM45-02F , VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , MMIS60R580P , VMO650-01F , VWM270-0075X2 , 2N7002BK , 2N7002BKM , 2N7002BKS , 2N7002BKT , 2N7002BKV , 2N7002BKW .

History: STF10N80K5 | 4N60B | P0620ED | HGP042N10A | FQPF5N60CYDTU | AFP2303A | FQD7P06TF

 

 
Back to Top

 


 
.