VMO650-01F Todos los transistores

 

VMO650-01F MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VMO650-01F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1740 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 690 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0018 Ohm
   Paquete / Cubierta: Y3DCB
 

 Búsqueda de reemplazo de VMO650-01F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VMO650-01F datasheet

 ..1. Size:46K  ixys
 vmo650-01f.pdf pdf_icon

VMO650-01F

VMO 650-01F VDSS = 100 V HiPerFETTM ID25 = 690 A MOSFET Module RDS(on) = 1.8 mW D N-Channel Enhancement Mode G E 72873 Preliminary Data G KS S KS S D Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 10 kW 100 V VGS Continuous 20 V D = Drain S = Source VGSM Transient 30 V KS = Kelvin Source G = Gate ID25 TS = 25 C 6

Otros transistores... VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , IRFZ48N , VWM270-0075X2 , 2N7002BK , 2N7002BKM , 2N7002BKS , 2N7002BKT , 2N7002BKV , 2N7002BKW , 2N7002CK .

History: IXUC160N075 | SD210 | AP13N50W-HF | MKE11R600DCGFC

 

 

 


 
↑ Back to Top
.