VMO650-01F - описание и поиск аналогов

 

VMO650-01F. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VMO650-01F

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1740 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 690 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm

Тип корпуса: Y3DCB

Аналог (замена) для VMO650-01F

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO650-01F даташит

 ..1. Size:46K  ixys
 vmo650-01f.pdf pdf_icon

VMO650-01F

VMO 650-01F VDSS = 100 V HiPerFETTM ID25 = 690 A MOSFET Module RDS(on) = 1.8 mW D N-Channel Enhancement Mode G E 72873 Preliminary Data G KS S KS S D Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 10 kW 100 V VGS Continuous 20 V D = Drain S = Source VGSM Transient 30 V KS = Kelvin Source G = Gate ID25 TS = 25 C 6

Другие MOSFET... VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , IRFZ48N , VWM270-0075X2 , 2N7002BK , 2N7002BKM , 2N7002BKS , 2N7002BKT , 2N7002BKV , 2N7002BKW , 2N7002CK .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.