Справочник MOSFET. VMO650-01F

 

VMO650-01F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMO650-01F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1740 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 690 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: Y3DCB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO650-01F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  ixys
 vmo650-01f.pdf pdf_icon

VMO650-01F

VMO 650-01F VDSS = 100 VHiPerFETTMID25 = 690 AMOSFET ModuleRDS(on) = 1.8 mWDN-Channel Enhancement ModeGE 72873Preliminary Data GKSS KSSDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 10 kW 100 VVGS Continuous 20 VD = Drain S = SourceVGSM Transient 30 VKS = Kelvin Source G = GateID25 TS = 25C 6

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: CET6426 | RU7550S | AUIRFZ34N | 2N6760JANTXV | FA57SA50LC | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP

 

 
Back to Top

 


 
.