Справочник MOSFET. VMO650-01F

 

VMO650-01F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VMO650-01F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1740 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 690 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0018 Ohm
   Тип корпуса: Y3DCB
 

 Аналог (замена) для VMO650-01F

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VMO650-01F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:46K  ixys
 vmo650-01f.pdf pdf_icon

VMO650-01F

VMO 650-01F VDSS = 100 VHiPerFETTMID25 = 690 AMOSFET ModuleRDS(on) = 1.8 mWDN-Channel Enhancement ModeGE 72873Preliminary Data GKSS KSSDSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 10 kW 100 VVGS Continuous 20 VD = Drain S = SourceVGSM Transient 30 VKS = Kelvin Source G = GateID25 TS = 25C 6

Другие MOSFET... VMM650-01F , VMM85-02F , VMM90-09F , VMO1200-01F , VMO1600-02P , VMO550-01F , VMO580-02F , VMO60-05F , RU7088R , VWM270-0075X2 , 2N7002BK , 2N7002BKM , 2N7002BKS , 2N7002BKT , 2N7002BKV , 2N7002BKW , 2N7002CK .

 

 
Back to Top

 


 
.