BLA0912-250 Todos los transistores

 

BLA0912-250 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLA0912-250
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 36 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT502A
 

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BLA0912-250 Datasheet (PDF)

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BLA0912-250

BLA0912-250Avionics LDMOS transistorRev. 3 26 November 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionSilicon N-channel enhancement mode LDMOS transistor encapsulated in a 2-lead SOT502A flange package with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange.Table 1. Test informationTypical RF performance measured in common source class-AB

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BLA0912-250

BLA0912-250RAvionics LDMOS power transistorRev. 3 1 December 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionSilicon N-channel enhancement mode LDMOS transistor encapsulated in a 2-lead SOT502A flange package with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange.Table 1. Test informationTypical RF performance measured in common source cl

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History: 8820 | HY110N06T | CSFR6N70U | IRFS9N60APBF | MS49P63 | HAT3018RJ | IPB100N04S2-04

 

 
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