BLA0912-250 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLA0912-250

Tipo de FET: LDMOS

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 36 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.06 Ohm

Encapsulados: SOT502A

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BLA0912-250 datasheet

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BLA0912-250

BLA0912-250 Avionics LDMOS transistor Rev. 3 26 November 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Silicon N-channel enhancement mode LDMOS transistor encapsulated in a 2-lead SOT502A flange package with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange. Table 1. Test information Typical RF performance measured in common source class-AB

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BLA0912-250

BLA0912-250R Avionics LDMOS power transistor Rev. 3 1 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Silicon N-channel enhancement mode LDMOS transistor encapsulated in a 2-lead SOT502A flange package with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange. Table 1. Test information Typical RF performance measured in common source cl

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