BLA0912-250. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLA0912-250

Тип транзистора: LDMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 36 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.06 Ohm

Тип корпуса: SOT502A

Аналог (замена) для BLA0912-250

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLA0912-250 даташит

 ..1. Size:328K  philips
 bla0912-250.pdf pdf_icon

BLA0912-250

BLA0912-250 Avionics LDMOS transistor Rev. 3 26 November 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Silicon N-channel enhancement mode LDMOS transistor encapsulated in a 2-lead SOT502A flange package with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange. Table 1. Test information Typical RF performance measured in common source class-AB

 0.1. Size:328K  philips
 bla0912-250r.pdf pdf_icon

BLA0912-250

BLA0912-250R Avionics LDMOS power transistor Rev. 3 1 December 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description Silicon N-channel enhancement mode LDMOS transistor encapsulated in a 2-lead SOT502A flange package with a ceramic cap. The common source is connected to the mounting flange. Table 1. Test information Typical RF performance measured in common source cl

Другие IGBT... BF1211WR, BF1212, BF1212R, BF1212WR, BF1214, BF1218, BF904AR, BF904AWR, 2N7002, BLA0912-250R, BLA1011-10, BLA1011-2, BLA1011-200, BLA1011-200R, BLA1011-300, BLA1011S-200, BLA1011S-200R