BLA6G1011-200R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLA6G1011-200R

Tipo de FET: LDMOS

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 28 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.093 Ohm

Encapsulados: SOT502A

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BLA6G1011-200R datasheet

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BLA6G1011-200R

BLA6G1011-200R Power LDMOS transistor Rev. 3 14 July 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 200 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to 1090 MHz. Table 1. Test information Typical RF performance at Tcase = 25 C in a class-AB production test circuit. Mode of operation f VDS PL Gp D tr tf (MHz) (V) (W) (dB)

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