BLA6G1011-200R Todos los transistores

 

BLA6G1011-200R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLA6G1011-200R
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 28 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 49 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.093 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT502A
 

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BLA6G1011-200R Datasheet (PDF)

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BLA6G1011-200R

BLA6G1011-200RPower LDMOS transistorRev. 3 14 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description200 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to 1090 MHz.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase = 25 C in a class-AB production test circuit.Mode of operation f VDS PL Gp D tr tf(MHz) (V) (W) (dB)

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History: IPB096N03LG | 2N6792JANT | SPP77N05 | HGA098N10A | 2N6790 | AM7153P | HGA080N10A

 

 
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