BLA6G1011-200R. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLA6G1011-200R

Тип транзистора: LDMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 28 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.093 Ohm

Тип корпуса: SOT502A

Аналог (замена) для BLA6G1011-200R

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLA6G1011-200R даташит

 ..1. Size:264K  philips
 bla6g1011-200r.pdf pdf_icon

BLA6G1011-200R

BLA6G1011-200R Power LDMOS transistor Rev. 3 14 July 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 200 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to 1090 MHz. Table 1. Test information Typical RF performance at Tcase = 25 C in a class-AB production test circuit. Mode of operation f VDS PL Gp D tr tf (MHz) (V) (W) (dB)

Другие IGBT... BLA0912-250R, BLA1011-10, BLA1011-2, BLA1011-200, BLA1011-200R, BLA1011-300, BLA1011S-200, BLA1011S-200R, SKD502T, BLA6H0912-500, BLA6H1011-600, BLD6G21L-50, BLD6G21LS-50, BLD6G22L-50, BLD6G22LS-50, BLF1043, BLF1046