Справочник MOSFET. BLA6G1011-200R

 

BLA6G1011-200R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLA6G1011-200R
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 28 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.093 Ohm
   Тип корпуса: SOT502A
 

 Аналог (замена) для BLA6G1011-200R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLA6G1011-200R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  philips
 bla6g1011-200r.pdf pdf_icon

BLA6G1011-200R

BLA6G1011-200RPower LDMOS transistorRev. 3 14 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description200 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to 1090 MHz.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase = 25 C in a class-AB production test circuit.Mode of operation f VDS PL Gp D tr tf(MHz) (V) (W) (dB)

Другие MOSFET... BLA0912-250R , BLA1011-10 , BLA1011-2 , BLA1011-200 , BLA1011-200R , BLA1011-300 , BLA1011S-200 , BLA1011S-200R , IRF9540N , BLA6H0912-500 , BLA6H1011-600 , BLD6G21L-50 , BLD6G21LS-50 , BLD6G22L-50 , BLD6G22LS-50 , BLF1043 , BLF1046 .

History: VBM1104N

 

 
Back to Top

 


 
.