Справочник MOSFET. BLA6G1011-200R

 

BLA6G1011-200R MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: BLA6G1011-200R
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 200 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 28 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 49 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.093 Ohm
   Тип корпуса: SOT502A

 Аналог (замена) для BLA6G1011-200R

 

 

BLA6G1011-200R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:264K  philips
 bla6g1011-200r.pdf

BLA6G1011-200R BLA6G1011-200R

BLA6G1011-200RPower LDMOS transistorRev. 3 14 July 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description200 W LDMOS power transistor for avionics applications at frequencies from 1030 MHz to 1090 MHz.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase = 25 C in a class-AB production test circuit.Mode of operation f VDS PL Gp D tr tf(MHz) (V) (W) (dB)

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top