BLA6H1011-600 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLA6H1011-600

Tipo de FET: LDMOS

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 48 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.169 Ohm

Encapsulados: SOT539A

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BLA6H1011-600 datasheet

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BLA6H1011-600

BLA6H1011-600 LDMOS avionics power transistor Rev. 01 22 April 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 600 W LDMOS pulsed power transistor intended for TCAS and IFF applications in the 1030 MHz to 1090 MHz range. Table 1. Test information Typical RF performance at Tcase =25 C; tp = 50 s; = 2 %; IDq = 100 mA; in a class-AB production test circuit.

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BLA6H1011-600

BLA6H0912-500 LDMOS avionics radar power transistor Rev. 04 10 May 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description 500 W LDMOS power transistor intended for avionics transmitter applications in the 960 MHz to 1215 MHz range such as Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and TACAN. Table 1. Test information Typical RF performance at Tcase =25 C; tp = 128 s; = 10 %; IDq =

Otros transistores... BLA1011-2, BLA1011-200, BLA1011-200R, BLA1011-300, BLA1011S-200, BLA1011S-200R, BLA6G1011-200R, BLA6H0912-500, 13N50, BLD6G21L-50, BLD6G21LS-50, BLD6G22L-50, BLD6G22LS-50, BLF1043, BLF1046, BLF145, BLF147