BLA6H1011-600 Todos los transistores

 

BLA6H1011-600 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLA6H1011-600
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 48 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.169 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT539A
 

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BLA6H1011-600 Datasheet (PDF)

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BLA6H1011-600

BLA6H1011-600LDMOS avionics power transistorRev. 01 22 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description600 W LDMOS pulsed power transistor intended for TCAS and IFF applications in the 1030 MHz to 1090 MHz range.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase =25C; tp = 50 s; = 2 %; IDq = 100 mA; in a class-AB production test circuit.

 9.1. Size:141K  philips
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BLA6H1011-600

BLA6H0912-500LDMOS avionics radar power transistorRev. 04 10 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 W LDMOS power transistor intended for avionics transmitter applications in the 960 MHz to 1215 MHz range such as Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and TACAN.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase =25C; tp = 128 s; = 10 %; IDq =

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History: TSF5N60M | S-LP4101LT1G | UF1010E | NCE2003 | 2SJ598-Z-E1 | AUIRF1324S-7P | IRF7416Q

 

 
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