BLA6H1011-600 Todos los transistores

 

BLA6H1011-600 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLA6H1011-600
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 600 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 48 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 72 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.169 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT539A
 

 Búsqueda de reemplazo de BLA6H1011-600 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BLA6H1011-600 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:131K  nxp
 bla6h1011-600.pdf pdf_icon

BLA6H1011-600

BLA6H1011-600LDMOS avionics power transistorRev. 01 22 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description600 W LDMOS pulsed power transistor intended for TCAS and IFF applications in the 1030 MHz to 1090 MHz range.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase =25C; tp = 50 s; = 2 %; IDq = 100 mA; in a class-AB production test circuit.

 9.1. Size:141K  philips
 bla6h0912-500.pdf pdf_icon

BLA6H1011-600

BLA6H0912-500LDMOS avionics radar power transistorRev. 04 10 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 W LDMOS power transistor intended for avionics transmitter applications in the 960 MHz to 1215 MHz range such as Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and TACAN.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase =25C; tp = 128 s; = 10 %; IDq =

Otros transistores... BLA1011-2 , BLA1011-200 , BLA1011-200R , BLA1011-300 , BLA1011S-200 , BLA1011S-200R , BLA6G1011-200R , BLA6H0912-500 , TK10A60D , BLD6G21L-50 , BLD6G21LS-50 , BLD6G22L-50 , BLD6G22LS-50 , BLF1043 , BLF1046 , BLF145 , BLF147 .

History: QM3004N3 | STN4826 | BRI2N70

 

 
Back to Top

 


 
.