BLA6H1011-600 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BLA6H1011-600
Тип транзистора: LDMOS
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 600 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 48 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 72 A
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.169 Ohm
Тип корпуса: SOT539A
Аналог (замена) для BLA6H1011-600
BLA6H1011-600 Datasheet (PDF)
bla6h1011-600.pdf
BLA6H1011-600LDMOS avionics power transistorRev. 01 22 April 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description600 W LDMOS pulsed power transistor intended for TCAS and IFF applications in the 1030 MHz to 1090 MHz range.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase =25C; tp = 50 s; = 2 %; IDq = 100 mA; in a class-AB production test circuit.
bla6h0912-500.pdf
BLA6H0912-500LDMOS avionics radar power transistorRev. 04 10 May 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General description500 W LDMOS power transistor intended for avionics transmitter applications in the 960 MHz to 1215 MHz range such as Mode-S, TCAS, JTIDS, DME and TACAN.Table 1. Test informationTypical RF performance at Tcase =25C; tp = 128 s; = 10 %; IDq =
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918