BLD6G22L-50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLD6G22L-50

Tipo de FET: LDMOS

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 28 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.736 Ohm

Encapsulados: SOT1130A

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BLD6G22L-50 datasheet

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BLD6G22L-50

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BLD6G22L-50

BLD6G21L-50; BLD6G21LS-50 TD-SCDMA 2010 MHz to 2025 MHz fully integrated Doherty transistor Rev. 2 17 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description The BLD6G21L-50 and BLD6G21LS-50 incorporate a fully integrated Doherty solution using NXP s state of the art GEN6 LDMOS technology. This device is perfectly suited for TD-SCDMA base station applications

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