Справочник MOSFET. BLD6G22L-50

 

BLD6G22L-50 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BLD6G22L-50
   Тип транзистора: LDMOS
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 28 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.736 Ohm
   Тип корпуса: SOT1130A
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BLD6G22L-50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:363K  philips
 bld6g22l-50 bld6g22ls-50.pdf pdf_icon

BLD6G22L-50

BLD6G22L-50; BLD6G22LS-50W-CDMA 2110 MHz to 2170 MHz fully integrated Doherty transistorRev. 3 17 August 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionThe BLD6G22L-50 and BLD22LS-50 incorporate a fully integrated Doherty solution using NXPs state of the art GEN6 LDMOS technology. This device is perfectly suited for CDMA base station applications at frequ

 8.1. Size:378K  philips
 bld6g21l-50 bld6g21ls-50.pdf pdf_icon

BLD6G22L-50

BLD6G21L-50; BLD6G21LS-50TD-SCDMA 2010 MHz to 2025 MHz fully integrated Doherty transistorRev. 2 17 August 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionThe BLD6G21L-50 and BLD6G21LS-50 incorporate a fully integrated Doherty solution using NXPs state of the art GEN6 LDMOS technology. This device is perfectly suited for TD-SCDMA base station applications

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: AM4403P | JCS5N50CT | S-LP3415ELT1G | NVMFS5C628N | SI7913DN | NCEP026N10F | MC11N005

 

 
Back to Top

 


 
.