BLD6G22LS-50 Todos los transistores

 

BLD6G22LS-50 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLD6G22LS-50
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 28 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.2 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.736 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT1130B
 

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BLD6G22LS-50 Datasheet (PDF)

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BLD6G22LS-50

BLD6G22L-50; BLD6G22LS-50W-CDMA 2110 MHz to 2170 MHz fully integrated Doherty transistorRev. 3 17 August 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionThe BLD6G22L-50 and BLD22LS-50 incorporate a fully integrated Doherty solution using NXPs state of the art GEN6 LDMOS technology. This device is perfectly suited for CDMA base station applications at frequ

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BLD6G22LS-50

BLD6G21L-50; BLD6G21LS-50TD-SCDMA 2010 MHz to 2025 MHz fully integrated Doherty transistorRev. 2 17 August 2010 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionThe BLD6G21L-50 and BLD6G21LS-50 incorporate a fully integrated Doherty solution using NXPs state of the art GEN6 LDMOS technology. This device is perfectly suited for TD-SCDMA base station applications

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History: NCE80T560D | 2SJ387S | KRF7309 | 4N80G-TN3-R | BLP05N08G-P | FQB9N50TM | 2N5458

 

 
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