BLD6G22LS-50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BLD6G22LS-50

Тип транзистора: LDMOS

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 28 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.2 A

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.736 Ohm

Тип корпуса: SOT1130B

Аналог (замена) для BLD6G22LS-50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BLD6G22LS-50 даташит

 ..1. Size:363K  philips
 bld6g22l-50 bld6g22ls-50.pdf pdf_icon

BLD6G22LS-50

BLD6G22L-50; BLD6G22LS-50 W-CDMA 2110 MHz to 2170 MHz fully integrated Doherty transistor Rev. 3 17 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description The BLD6G22L-50 and BLD22LS-50 incorporate a fully integrated Doherty solution using NXP s state of the art GEN6 LDMOS technology. This device is perfectly suited for CDMA base station applications at frequ

 8.1. Size:378K  philips
 bld6g21l-50 bld6g21ls-50.pdf pdf_icon

BLD6G22LS-50

BLD6G21L-50; BLD6G21LS-50 TD-SCDMA 2010 MHz to 2025 MHz fully integrated Doherty transistor Rev. 2 17 August 2010 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description The BLD6G21L-50 and BLD6G21LS-50 incorporate a fully integrated Doherty solution using NXP s state of the art GEN6 LDMOS technology. This device is perfectly suited for TD-SCDMA base station applications

Другие IGBT... BLA1011S-200, BLA1011S-200R, BLA6G1011-200R, BLA6H0912-500, BLA6H1011-600, BLD6G21L-50, BLD6G21LS-50, BLD6G22L-50, IRF1010E, BLF1043, BLF1046, BLF145, BLF147, BLF175, BLF177, BLF178P, BLF202