BLF368 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BLF368

Tipo de FET: LDMOS

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 32 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm

Encapsulados: SOT262A1

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BLF368 datasheet

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BLF368

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D091 BLF368 VHF push-pull power MOS transistor 1998 Jul 29 Product specification Supersedes data of September 1992 Philips Semiconductors Product specification VHF push-pull power MOS transistor BLF368 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control 1 2 Good thermal stability d2 ndbook, halfpage Gold metalliza

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BLF368

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET M3D091 BLF368 VHF push-pull power MOS transistor Product specification 2003 Sep 26 Supersedes data of 1998 Jul 29 Philips Semiconductors Product specification VHF push-pull power MOS transistor BLF368 FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control 1 2 Good thermal stability d2 ndbook, halfpage Gold metallization

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BLF368

BLF369 Multi-use VHF power LDMOS transistor Rev. 04 19 February 2009 Product data sheet 1. Product profile 1.1 General description A general purpose 500 W LDMOS RF power transistor for pulsed and continuous wave applications in the HF/VHF band up to 500 MHz. Table 1. Typical performance Typical RF performance at VDS = 32 V and Th =25 C in a common-source 225 MHz test circuit.[1]

Otros transistores... BLF244, BLF245, BLF245B, BLF246, BLF246B, BLF248, BLF278, BLF346, 18N50, BLF369, BLF3G21-30, BLF3G21-6, BLF404, BLF521, BLF542, BLF544, BLF546