BLF368 Todos los transistores

 

BLF368 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLF368
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 32 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT262A1

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BLF368 Datasheet (PDF)

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D091BLF368VHF push-pull power MOStransistor1998 Jul 29Product specificationSupersedes data of September 1992Philips Semiconductors Product specificationVHF push-pull power MOS transistor BLF368FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control1 2 Good thermal stabilityd2ndbook, halfpage Gold metalliza

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DISCRETE SEMICONDUCTORSDATA SHEETM3D091BLF368VHF push-pull power MOStransistorProduct specification 2003 Sep 26Supersedes data of 1998 Jul 29Philips Semiconductors Product specificationVHF push-pull power MOS transistor BLF368FEATURES PIN CONFIGURATION High power gain Easy power control1 2 Good thermal stabilityd2ndbook, halfpage Gold metallization

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BLF369Multi-use VHF power LDMOS transistorRev. 04 19 February 2009 Product data sheet1. Product profile1.1 General descriptionA general purpose 500 W LDMOS RF power transistor for pulsed and continuous waveapplications in the HF/VHF band up to 500 MHz.Table 1. Typical performanceTypical RF performance at VDS = 32 V and Th =25 C in a common-source 225 MHz test circuit.[1]

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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