BLF3G21-6 Todos los transistores

 

BLF3G21-6 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BLF3G21-6
   Tipo de FET: LDMOS
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 26 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT538A
 

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BLF3G21-6 Datasheet (PDF)

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BLF3G21-6

BLF3G21-6UHF power LDMOS transistorRev. 01 25 June 2008 Product data sheet1. Product profile1.1 General description6 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies fromHF to 2200 MHzTable 1. Typical class-AB RF performanceIDq = 90 mA; Th = 25 C in a common source test circuit.Mode of operation f PL Gp D IMD3 PL(1dB)(MHz) (W) (dB) (%) (dB) (W)

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BLF3G21-6

BLF3G21-30UHF power LDMOS transistorRev. 01 14 February 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description30 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies fromHF to 2200 MHz.Table 1. Typical class-AB RF performanceIDq = 450 mA; Th = 25 C in a common source test circuit.Mode of operation f PL Gp D IMD3 PL(1dB)(MHz) (W) (dB) (%) (d

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BLF3G21-6

BLF3G22-30UHF power LDMOS transistorRev. 01 21 June 2007 Product data sheet1. Product profile1.1 General description30 W LDMOS power transistor for base station applications at frequencies from2000 MHz to 2200 MHzTable 1. Typical class-AB RF performanceIDq = 450 mA; Th = 25 C in a common source test circuit.Mode of operation f1 f2 VDS IDq PL(PEP) PL(AV) Gp D IMD ACPR I

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History: FDPF12N50T

 

 
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